pl 
Sklep
- Akustyka
- Automatyka przemysłowa
- Chłodzenie: wentylatory, radiatory
- Baterie
- Czujniki
- Elementy mechaniczne, silniki
- Elementy pasywne
- LED
- Obwody drukowane
- Wyświetlacze
- Półprzewodniki
- Przekaźniki
- Przełączniki
- Przewody do elektroniki
- Przewody, akcesoria, inne
- Transmisja bezprzewodowa
- Profile aluminiowe do LED
- Zasilacze
- Złącza
- Wyprzedaż
-
Strona główna
-
Półprzewodniki
-
Tranzystory
-
Unipolarne
-
Tranzystory MOSFET z kanałem N
- SI1926DL-T1-GE3-VB
Kontakt z konsultantem:
Paweł Kasowicz
tel.: +48 509 879 733
e-mail: p.kasowicz@maritex.com.pl
Zapytaj o produktDodaj do obserwowanych
Dodano do listy obserwowanych produktów. Zobacz obserwowane
SI1926DL-T1-GE3 VB-SEMI
Kod produktu: SI1926DL-T1-GE3-VB
Tranzystor: 2xN-MOSFET; unipolarny; 60V; 300mA; 2.5ohm; 0.35W; -55+150 st.C; SMD; SOT-363
| Ilość (szt.) | 1+ | 25+ | 100+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Cena netto (szt.) | 0,55 zł | 0,52 zł | 0,49 zł | 0,47 zł | 0,41 zł |
| Cena brutto (szt.) | 0,68 zł | 0,64 zł | 0,61 zł | 0,58 zł | 0,51 zł |
| Informacje | |
|---|---|
| Kod produktu: | SI1926DL-T1-GE3-VB |
| Producent: | VB-SEMI |
| Numer celny: | 8541210000 |
| Kod producenta: | SI1926DL-T1-GE3 |
| Status RoHS: | TAK |
| Dane techniczne | |
|---|---|
| Typ: | unipolarny, 2 x kanał N |
| Prąd drenu: | 300mA |
| Napięcie DS: | 60V |
| Obudowa: | SOT363 |
| Montaż: | SMD |
| Producent: | VB SEMI |
