pl 
Sklep
- Akustyka
- Automatyka przemysłowa
- Chłodzenie: wentylatory, radiatory
- Baterie
- Czujniki
- Elementy mechaniczne, silniki
- Elementy pasywne
- LED
- Obwody drukowane
- Wyświetlacze
- Półprzewodniki
- Przekaźniki
- Przełączniki
- Przewody do elektroniki
- Przewody, akcesoria, inne
- Transmisja bezprzewodowa
- Profile aluminiowe do LED
- Zasilacze
- Złącza
- Wyprzedaż
-
Strona główna
-
Półprzewodniki
-
Tranzystory
-
Unipolarne
-
Tranzystory MOSFET z kanałem N
- SI2312BDS-T1-GE3-VB
Kontakt z konsultantem:
Paweł Kasowicz
tel.: +48 509 879 733
e-mail: p.kasowicz@maritex.com.pl
Zapytaj o produktDodaj do obserwowanych
Dodano do listy obserwowanych produktów. Zobacz obserwowane
SI2312BDS-T1-GE3 VB-SEMI
Kod produktu: SI2312BDS-T1-GE3-VB
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 6A; 0.028ohm; 2.1W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość (szt.) | 1+ | 25+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Cena netto (szt.) | 3,3900 zł | 1,2683 zł | 1,1196 zł | 1,0057 zł | 0,9372 zł |
| Cena brutto (szt.) | 4,1697 zł | 1,5600 zł | 1,3771 zł | 1,2370 zł | 1,1528 zł |
| Informacje | |
|---|---|
| Kod produktu: | SI2312BDS-T1-GE3-VB |
| Producent: | VB-SEMI |
| Numer celny: | 8541290000 |
| Kod producenta: | SI2312BDS-T1-GE3 |
| Status RoHS: | TAK |
| Dane techniczne | |
|---|---|
| Typ: | unipolarny, Kanał N |
| Prąd drenu: | 6A |
| Napięcie DS: | 20V |
| Obudowa: | SOT23 |
| Montaż: | SMD |
| Producent: | VB SEMI |
