Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 4A; 0.075ohm; 1.66W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

SI2308BDS-VB

Kod producenta: SI2308BDS-T1-GE3

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 4A; 0.075ohm; 1.66W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 0,50
25+ 0,48
100+ 0,45
500+ 0,43
3000+ 0,38
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
SI2308BDS-VB
Kod producenta
SI2308BDS-T1-GE3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Napięcie DS
60V
Prąd drenu
4A
Producent
VB SEMI
Typ
Kanał Nunipolarny
6380 sztuk w magazynie
Ilość (wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Razem 0,50 PLN netto
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy