Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -9A; 0,018ohm; 4.2W; -55+-150 st.C; SMD; SO8

SI4435BDY-T1-GE3-VB

Kod producenta: SI4435BDY-T1-GE3

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -9A; 0,018ohm; 4.2W; -55+-150 st.C; SMD; SO8

Ilość szt. Cena netto PLN/szt.
1+ 2,45
25+ 2,33
100+ 2,20
1000+ 2,08
4000+ 1,84
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
SI4435BDY-T1-GE3-VB
Kod producenta
SI4435BDY-T1-GE3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
4000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Obudowa
SO8
Montaż
SMD
Napięcie DS
30V
Prąd drenu
-9A
Producent
VB SEMI
Typ
Kanał Punipolarny
100 sztuk w magazynie
Ilość (wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Razem 2,45 PLN netto
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy